離子注入技術(shù)實(shí)習(xí)報(bào)告范文

　　我國(guó)有科學(xué)家研究了引出束流密度分布[4]。MEVVA源的束流密度符合高斯分布，束流密度分布對(duì)于引出電壓和軸向磁場(chǎng)的變化并不敏感，因?yàn)殡x子源應(yīng)用于離子注入系統(tǒng)中, 注入離子的參數(shù)如能量、流強(qiáng)等可能常要求改變, 但束分布的均勻性、束斑大小、散角以及發(fā)射度等并不發(fā)生大的變化, 這樣注入的設(shè)備就變得簡(jiǎn)單, 調(diào)節(jié)起來(lái)也顯得方便。

　　為了不斷適應(yīng)各種新的需要，研究人員不斷改進(jìn)MEVVA源。通常在進(jìn)行離子注入時(shí)要求束流密度分布是均勻的,而MEVVA源的束流密度屬于高斯分布，因此改善束流的均勻性成為離子注入機(jī)領(lǐng)域的重要研究課題。國(guó)外有科學(xué)家(俄羅斯A.I.Ryabch ikov)曾嘗試控制等離子體的發(fā)射角，使得等離子體打到陽(yáng)極柵網(wǎng)上，而不打到陽(yáng)極筒上，從而得到一個(gè)較均勻的分布。國(guó)內(nèi)有研究者試圖在陰極弧斑附近適當(dāng)位置加入會(huì)切磁場(chǎng)使等離子體在低速時(shí)改變它的運(yùn)動(dòng)方向，得到比較均勻的等離子體分布，并且適當(dāng)調(diào)整會(huì)切磁場(chǎng)的強(qiáng)度可以得到一個(gè)相當(dāng)平坦的電荷密度分布[5]。研究表明聚焦磁場(chǎng)對(duì)等離子體有明顯的壓縮作用、可大幅度提高陽(yáng)極孔引出等離子體的密度，從而將普通陰極真空弧沉積的沉積速率提高了約3倍，并使膜層中大顆粒的含量大幅度減少，合成薄膜的表面粗糙度下降了1個(gè)數(shù)量級(jí)。北京師范大學(xué)低能核物理研究所的王廣甫等人發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)在陰極接地和陽(yáng)極接地兩種情況下，弧源的工作性能有很大的差異[6]。陰極接地時(shí)，因聚焦磁場(chǎng)對(duì)觸發(fā)放電產(chǎn)生的弱等離子體中電子的壓縮作用隨聚焦磁場(chǎng)的升高，電子打到陽(yáng)極的位置離陰極越來(lái)越遠(yuǎn)，數(shù)量越來(lái)越少，當(dāng)聚焦磁場(chǎng)對(duì)此弱等離子體中電子的壓縮作用使大量電子打到陽(yáng)極以遠(yuǎn)，而打到陽(yáng)極上的電子數(shù)量不足以溝通主弧回路時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)斷弧;而陽(yáng)極接地時(shí)，因靶室外殼接地也可起到陽(yáng)極作用，打到陽(yáng)極外的電子，會(huì)打在靶室入口法蘭上，當(dāng)打到陽(yáng)極上的電子數(shù)量不足以溝通主弧回路時(shí)，打在靶室入口法蘭上的電子仍會(huì)通過(guò)靶室入口法蘭溝通主弧回路。吳先映等研究人員研制出了5O型MEVVA 源注入機(jī)，平均引出束流達(dá)50 mA 以上，處理面積達(dá)8400，適合于產(chǎn)業(yè)化規(guī)劃的離子束材料表面改性用離子注入機(jī)。

　　總之，MEVVA源作為一種新型強(qiáng)流金屬離子源，可產(chǎn)生元素周期表中從鋰到鈾的所有金屬離子，金屬離子束流強(qiáng)、束斑大，特別適用于科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用。使用MEVVA源的強(qiáng)流離子注入機(jī)是新一代離子注入材料表面改性設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊，效率高，成本低，工作穩(wěn)定可靠。其中MEVVA100離子注入機(jī)，是具有目前世界上最大束流功率的金屬離子注入機(jī)。下表是各種型號(hào)MEVVA源離子注入機(jī)基本性能參數(shù)的比較。

　　4.2 利用MEVVA源金屬離子注入技術(shù)的相關(guān)研究

　　材料中某些最重要的性能是由近表面數(shù)微米甚至更淺的薄層內(nèi)的組分和結(jié)構(gòu)所決定的，尤其是材料的光、電磁、磨損、腐蝕等性能，更是強(qiáng)烈地依賴于材料表面的成分和狀態(tài)，而離子注入正是改變材料表面成分和狀態(tài)的有效手段。因此離子注入技術(shù)在材料領(lǐng)域尤其是在材料表面改性方面的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

　　4.2.1 半導(dǎo)體材料的離子注入

　　在目前的半導(dǎo)體和集成電路生產(chǎn)中，利用離子注入技術(shù)進(jìn)行摻雜已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散和外延方法，成為半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中的基本工藝之一。離子注入可以實(shí)現(xiàn)低溫、定向、定量的摻雜，這一點(diǎn)是熱擴(kuò)散工藝所不及的。例如在GaAs集成電路和器件研制中,離子注入是關(guān)鍵技術(shù)之一。在器件研制中需要形成n型或p型高濃度層,由于自補(bǔ)償效應(yīng)等原因,在GaAs中n型層很難高于(3~4)×/cm3濃度。選用Si+As雙注入,使Si能更多地替Ga位,大大提高了載流子濃度。當(dāng)選用適當(dāng)注入和退火時(shí),得到峰值載流子濃度為3×/cm3的n型高濃度層。國(guó)內(nèi)材料Si+注入后遷移率低，研究發(fā)現(xiàn), 選用優(yōu)質(zhì)Si-GaAs材料,消除注入時(shí)BF+束流對(duì)束流的影響,在950℃~960℃5 s白光快速退火的條件下可得到優(yōu)質(zhì)的n型層，此技術(shù)可穩(wěn)定地將電激活率提高80%~100%,遷移率3 500cm2/V·s左右。

　　4.2.2 金屬材料的離子注入改性

　　離子注入是一種非熱平衡過(guò)程，不受平衡固溶度和熱力學(xué)規(guī)律的限制�？梢园褍煞N或幾種互不相溶的合金組元人為地制造成固溶體，為金屬材料表面改性開拓了更具前景的全新工藝。近年來(lái)有關(guān)這方面的研究進(jìn)行得異�；钴S，取得了矚目的研究成果。

　　如MEVVA源離子注入陶瓷刀具表面改性研究。陶瓷具有高硬度和高溫強(qiáng)度、抗蠕變、高的抗氧化性能和高溫化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，但由于其化學(xué)鍵局限和制備過(guò)程中的微裂紋和缺陷等原因具有表面斷裂敏感性，表現(xiàn)出低韌性、低拉伸強(qiáng)度、低抗彎強(qiáng)度等缺點(diǎn)，材料可靠性和重現(xiàn)性低，而一些材料磨損系數(shù)相對(duì)較高、磨損行為欠佳、抗熱震性能不足等問(wèn)題也限制了材料的使用。離子注入能將所需元素離子在幾十至幾百千伏電壓下注入到陶瓷材料表面，在零點(diǎn)幾微米的表層中增加注入元素濃度，通過(guò)非平衡態(tài)材料輻照損傷和化學(xué)效應(yīng)等途徑使陶瓷組成和微觀結(jié)構(gòu)以一種可控方式改變，從而強(qiáng)烈地影響離子注入后的陶瓷表面力學(xué)性能。清華的研究人員首次采用金屬弧(MEVVA )源對(duì)氧化鋁、氮化硅等陶瓷刀具進(jìn)行了注入金屬Ti、 Zr和Cr離子改性研究，確定了注入劑量與陶瓷刀具性能的之間的關(guān)系。改性后陶瓷材料表觀納米硬度、楊氏模量和抗彎強(qiáng)度最大分別可以增加51%、41%和66%，刀具壽命比改性前提高2到12倍。

　　又如硅離子注入聚合物表面改性的研究。用MEVVA離子源引出的Si離子注人聚醋薄膜(PET)。硅離子注人聚合物后，聚合物表面結(jié)構(gòu)的變化使抗磨損特性發(fā)生了變化，隨注人劑量的增加，其抗磨損能力增強(qiáng)，同時(shí)也與離子種類相關(guān)。注人的硅原子很容易與沉積的碳相結(jié)合而形成SIC，SIC質(zhì)地堅(jiān)硬，因此能有效改善聚合物表面強(qiáng)化特性。用納米硬度測(cè)量表明Si離子注人PET表面硬度和楊氏模量，其值分別比未注入PET大12.5和2.45倍.用透射電子顯微鏡對(duì)樣品橫截面觀察表明，硅和碳顆粒已經(jīng)形成，Si離子注入聚醋膜厚度大于200nm的強(qiáng)化層已經(jīng)形成.原子力顯微鏡觀察表明Si注人層表面比未注入層表面更平滑，從而使Si離子注人后的PET膜表面性能得到優(yōu)化處理。

　　由于金屬在水溶液中的腐蝕是最常見也是最主要的腐蝕現(xiàn)象，由于腐蝕發(fā)生在金屬表面,人們利用離子注入來(lái)改變金屬材料表面成分、結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài),以期達(dá)到材料表面抗腐蝕的效果。在H13鋼注入C和Ti形成抗腐蝕鈍化層，這種鈍化層既能抗酸性腐蝕,又具有優(yōu)良的抗堿性點(diǎn)蝕特性。研究表明表明,在C注量不變時(shí),增加Ti注量可使抗腐蝕特性增強(qiáng);而在Ti注量不變時(shí),增加C注量可使抗點(diǎn)蝕特性增強(qiáng)。也有研究表明用Ti、C和Ti+C離子注入H13鋼表面會(huì)形成不同程度的納米相鑲嵌復(fù)合層，對(duì)鋼的表面硬度、摩擦系數(shù)和耐磨性能有很大的影響。經(jīng)過(guò)Ti+C雙注入的H13鋼熱擠壓模，擠壓鋁合金坯材達(dá)3噸后，模具孔徑尺寸尚未超差，型材表面質(zhì)量滿足要求，模具使用壽命提高3O倍以上。另外有研究表明經(jīng)過(guò)MEVVA源離子注入的抽氣泵，工作電流由6.3 A 以上降到4.7 A 以下，降低能耗25%以上，抽氣泵的工作狀況也比未注入的泵更加穩(wěn)定可靠。

　　4.2.3 離子注入在薄膜制作中的應(yīng)用

　　放電穩(wěn)定、陰極材料蒸發(fā)離化率高、離子能量高和沉積速率快的陰極真空弧放電等離子體沉積(VAPD) 技術(shù)已廣泛地用于沉積金屬膜、類金剛石膜、TiN 膜和半導(dǎo)體膜等薄膜或涂層的制備。所生成的薄膜具有膜層均勻、附著力強(qiáng)、表面光潔、機(jī)械性能好等特點(diǎn),可按不同的要求應(yīng)用于耐腐蝕、耐磨損及超高硬度涂層。近年來(lái),隨著真空磁過(guò)濾沉積、激光消融等制備技術(shù)的出現(xiàn)和工藝的發(fā)展,人們獲得了sp3鍵含量大于85 %的類金剛石(DLC) 膜。由于它呈現(xiàn)高度的金剛石特性,而且具有非晶結(jié)構(gòu),故也被稱為非晶金剛石。它具有組織均勻、可以大面積沉積、成本低、表面平整等一系列優(yōu)點(diǎn)。真空磁過(guò)濾弧沉積技術(shù)是制備高質(zhì)量無(wú)氫非晶金剛石薄膜的理想方法,可以在室溫下高效率、大面積制備DLC 薄膜。有采用磁過(guò)濾MEVVA 源制備DLC 膜的研究表明，沉積能量對(duì)薄膜的sp3 鍵含量的影響為sp3 鍵含量先隨能量的增加而增加,當(dāng)能量達(dá)100 eV 后,能量再增加薄膜中的sp3 鍵含量反而下降;非晶金剛石薄膜的硬度達(dá)到天然金剛石材料的硬度值,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于襯底材料的硬度值;摩擦因數(shù)大大低于襯底材料單晶硅的摩擦因數(shù)和不銹鋼的摩擦因數(shù)。

　　4.2.4 離子注入在生物誘變中的應(yīng)用

　　離子注入是80年代興起的一種材料表面處理技術(shù)。我國(guó)曾有科研工作者把離子注入這一高技術(shù)率先應(yīng)用于作物品種改良和生物效應(yīng)研究，獲得了損傷輕、突變率高、突變譜廣的結(jié)果，令世人注目�？股�素在醫(yī)學(xué)、獸醫(yī)學(xué)、家畜飼養(yǎng)、植物保護(hù)學(xué)、生化研究等方面起巨大作用。曾有研究者將生長(zhǎng)良好的供試菌菌落或剛涂布于高氏一號(hào)瓊脂平皿的單抱子，置SA離子器靶室水冷底座上，控制溫度不超過(guò)50℃，由離子源引出荷能N+脈沖式注入，能量為30kev，注入劑量分別為:3x10、10X10、15x10、20x10、30x10、45X10 (N/cm)，考察離子注入對(duì)產(chǎn)量的影響。離子注入誘發(fā)變異所篩選到的正突變株經(jīng)考察較穩(wěn)定。從15X10 N/cm處理獲得的正突變菌株篩選到15一32號(hào)菌株，其效價(jià)比出發(fā)菌株提高75.3%，從30x10N/cm處理中篩選到30一38號(hào)菌株比出發(fā)菌提高61.5%。將初篩獲得的效價(jià)較高的菌株48株，經(jīng)連續(xù)繁殖轉(zhuǎn)移三代后，再發(fā)酵測(cè)定效價(jià)，結(jié)果有75%的菌株保持或略高于第一代的效價(jià)，25%的菌株效價(jià)下降20~40%[18]。

　　需要說(shuō)明的是，MEVVA源作為一種高能粒子注入源，主要適合于金屬離子，對(duì)于非金屬離子注入(如N、Si、As等)的相關(guān)研究，譬如在生物誘種和半導(dǎo)體器件方面的應(yīng)用，一般都不用MEVVA源，而是采用其他離子注入技術(shù)。

　　4.3 結(jié)論

　　經(jīng)過(guò)大量的調(diào)研，我們發(fā)現(xiàn)離子注入技術(shù)作為一種新型的表面改性技術(shù)，具有其它表面改性技術(shù)所不具備的突出優(yōu)點(diǎn)，不僅能量高、溫度低，而且可控性強(qiáng)，操作度高，因此不僅在材料科學(xué)與工程中獲得了廣泛的應(yīng)用，還沿及生物科學(xué)，對(duì)當(dāng)今全球糧食危機(jī)就如何提高糧食產(chǎn)量又提供了一個(gè)契機(jī)。MEVVA源離子注入技術(shù)首先被用在半導(dǎo)體參雜上取得了很好的成效;離子注入某些元素可以大大加強(qiáng)機(jī)械原件的物理性能而只改變其表面形態(tài)，這種技術(shù)已經(jīng)被用于一些高薪技術(shù)產(chǎn)業(yè)中;MEVVA源還可用于制備類金剛石薄膜，另外由于MEVVA源屬于強(qiáng)流離子注入，是一種非平衡態(tài)過(guò)程，為對(duì)于擴(kuò)散行為、薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程和機(jī)理等理論研究提供了很好的研究方法。迄今為止已取得的研究成果表明，離子注入將為材料科學(xué)的理論研究和新材料的開發(fā)應(yīng)用做出越來(lái)越大的貢獻(xiàn)。