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離子注入技術(shù)實(shí)習(xí)報(bào)告范文
離子注入技術(shù)具有其它表面改性技術(shù)所不具備的突出優(yōu)點(diǎn)，不僅能量高、溫度低，而且可控性強(qiáng)，操作度高，因此不僅在材料科學(xué)與工程中獲得了廣泛的應(yīng)用。以下是一篇關(guān)于“MEVVA源離子注入技術(shù)實(shí)習(xí)報(bào)告”，供大家參考，希望對(duì)大家有所幫助。
一、實(shí)習(xí)報(bào)告名稱 (一級(jí)標(biāo)題，黑體，三號(hào))
MEVVA源離子注入技術(shù)
二、實(shí)習(xí)起止時(shí)間
2008年9月20日至2008年10月10日
三、實(shí)習(xí)地點(diǎn)
北京師范大學(xué)低能和物理研究所
四、實(shí)習(xí)內(nèi)容(含原理簡(jiǎn)介)
4.1 MEVVA源離子注入技術(shù)發(fā)展及介紹
4.1.1 離子注入技術(shù)的發(fā)展
離子束技術(shù)是一項(xiàng)不斷發(fā)展和完善的新型技術(shù),它的應(yīng)用范圍非常廣泛,加工的對(duì)象種類繁多又千變?nèi)f化,幾乎包括了整個(gè)材料科學(xué)的研究對(duì)象。這項(xiàng)技術(shù)的不斷發(fā)展和完善,推動(dòng)了材料科學(xué)本身的發(fā)展,在基礎(chǔ)學(xué)科的研究上取得了許多新成果,在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防上具有巨大的經(jīng)濟(jì)效益。在20世紀(jì)50年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的RusellOhl首先將該技術(shù)用于改善半導(dǎo)體的摻雜特性。自那之后，尤其是60年代以來(lái)，離子注入在基礎(chǔ)理論和應(yīng)用研究等諸多領(lǐng)域都獲得了飛速發(fā)展，取得令人矚目的成果。 70年代中期發(fā)展起離子束材料改性,由于開(kāi)發(fā)了強(qiáng)束流氮離子注入技術(shù),在80年代中期開(kāi)始走向一定規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)階段�，F(xiàn)在已發(fā)展到可以在各種基體材料中注入差不多所有元素的離子，離子注入已經(jīng)成為材料表面改性的最重要的方法。
4.1.2 離子注入技術(shù)簡(jiǎn)介
1、強(qiáng)束流氮離子注入
為了材料改性的需要,英國(guó)哈威爾原子能研究中心的Freeman教授等人研制出強(qiáng)束流氮離子注入機(jī)，束流強(qiáng)度可達(dá)50mA。不采用質(zhì)量分離器，因?yàn)橥ㄈ腚x子源氣體為高純氮,引出的離子也是高純的氮離子束，束流直徑可達(dá)到1m。
2、強(qiáng)流金屬離子注入
MEVVA源屬于強(qiáng)金屬寬束離子源,其基本原理是利用觸發(fā)器觸發(fā)陰極引起陰極和陽(yáng)極間弧光放電,從而將陰極材料蒸發(fā)到放電室中,被蒸發(fā)的陰極原子在等離子放電過(guò)程中被電離而形成正離子,等離子在磁場(chǎng)的作用下可以減少離子在室壁上的損失。正離子通過(guò)陽(yáng)極和多孔的引出極而形成較寬的金屬離子束,再經(jīng)加速電壓加速后注入到靶材表面。
3、浸沒(méi)離子注入
將注入的工件置于等離子體中加上負(fù)電位,于是等離子體中的正離子則奔向工件而注入到工件表面,這種注入方式稱為浸沒(méi)離子注入。這種注入的特點(diǎn)是全方位離子注入,可加工復(fù)雜的工件。如果工件上加上負(fù)脈沖電位,那么注入離子的能量將增加。
4.1.3 離子注入技術(shù)的特點(diǎn)
離子注入過(guò)程是先將預(yù)先選擇的元素的原子電離成離子，再經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速，使其獲得若干千電子伏特的能量(通常為20～50okeV)，然后將其引入到固體表面。與其它表面改性方法相比，離子注入具有以下特點(diǎn):
1) 離子注入是非熱平衡過(guò)程。離子注入是將經(jīng)加速器加速后具有一定能量的離子注入到固體表面的物理過(guò)程，不受熱平衡條件的限制，原則上可以將任何一種元素在各種溫度條件下注入到任意的靶材料中，而且不受固溶度的限制，這一特性為發(fā)展新材料提供了一種全新而獨(dú)特的手段。
2) 離子注入不會(huì)引起靶材料的變形。表面強(qiáng)化對(duì)提高金屬材料的使用性能是至關(guān)重要的，但大部分的表面強(qiáng)化過(guò)程都需要在一定高溫條件下進(jìn)行，變形是不可避免的，由于離子注入可以在低溫和常溫下進(jìn)行，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬材料的表面超精強(qiáng)化。另外強(qiáng)化層與基體無(wú)明顯界面(注入離子與基體原子級(jí)混合)，結(jié)合力大大提高。
3) 離子注入是一種改變材料表面性質(zhì)的高度可控技術(shù)。通過(guò)自由地調(diào)整注入過(guò)程中的兩個(gè)獨(dú)立參量——注入能量和劑量，可準(zhǔn)確地控制注入元素在靶材料中的濃度分布和注入深度，加上離子注入極容易實(shí)現(xiàn)控制裝置的自動(dòng)化，保證了表面改性處理的精度和重現(xiàn)性。
4) 高能量的入射離子能夠穿透一定厚度的掩蔽膜(如硅半導(dǎo)體表面的膜)進(jìn)行注入，實(shí)現(xiàn)埋層注入，這對(duì)于制作高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件是十分有利的。
4.1.4 MEVVA源離子注入機(jī)及相關(guān)研究
美國(guó)布朗(Brouwn)教授在1985年發(fā)表了金屬蒸發(fā)真空弧離子源(MEVVA)的研究結(jié)果，獲得了當(dāng)年的美國(guó)100項(xiàng)研究成果獎(jiǎng)。從發(fā)明到現(xiàn)在的廣泛研究，MEVVA離子源發(fā)展逐步成熟， 穩(wěn)定工作引出束流達(dá)50mA以上，束斑直徑達(dá)500mm以上。我國(guó)在MEVVA離子源研究及其工業(yè)應(yīng)用方面處在國(guó)際先進(jìn)水平。1998年世界上首家以MEVVA離子源技術(shù)加工的民用企業(yè)在我國(guó)出現(xiàn)，并取得良好經(jīng)濟(jì)效益，這是高技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化的成功范例，也說(shuō)明MEVVA離子源技術(shù)在材料表面加工上擁有潛在的巨大優(yōu)勢(shì)。
MEVVA 離子源的工作原理：
MEVVA 離子源包括金屬等離子體形成區(qū)和金屬離子束形成區(qū)兩部分。前者由陰極、陽(yáng)極和觸發(fā)電極組成，后者由一組多孔三電極組成。陰極、觸發(fā)電極和陽(yáng)極為同軸結(jié)構(gòu)。陰極為圓柱形，由所需離子的導(dǎo)電材料制成，陽(yáng)極為圓柱簡(jiǎn)形套在陰極面。陽(yáng)極中心開(kāi)孔為等離子通道。陰極和陽(yáng)極間施加一電壓并不能形成真空弧放電，必須經(jīng)觸發(fā)點(diǎn)燃，采用脈沖高壓觸發(fā)方式。外觸發(fā)結(jié)構(gòu)即觸發(fā)電極套在陰極外，中間用氮化硼絕緣，觸發(fā)電壓10 kV 左右，觸發(fā)脈寬10 us。當(dāng)觸發(fā)電壓施加在陰極和觸發(fā)電極上時(shí)，用于火花放電產(chǎn)生的等離子體使陰極和陽(yáng)極電路接通而形成真空弧放電。真空弧放電的重復(fù)頻率由觸發(fā)脈沖頻率決定，而真空弧放電持續(xù)時(shí)間則由主孤電源的脈沖長(zhǎng)度決定。陰極真空弧放電的基率特征是在陰極表面形成陰極斑。陰極斑只有微米量級(jí)大小，而電流密度高達(dá)致使斑內(nèi)陰極材料蒸發(fā)并高度電離，形成高密度金屬等離子體。等離子體以m/s的速度噴射，一部分等離子體通過(guò)陽(yáng)極中心孔擴(kuò)散到引出電極，在引出電場(chǎng)作用下被引出而形成強(qiáng)流金屬離子束。施加在陰陽(yáng)極間的弧壓越高，弧電流越大所產(chǎn)生的金屬等離子體密度也就越高，從而有可能引出更大的束流。引出束流大小還同源的工作參數(shù)、引出電壓、引出結(jié)構(gòu)及陰極材料等有關(guān)。
我國(guó)有科學(xué)家研究了引出束流密度分布[4]。MEVVA源的束流密度符合高斯分布，束流密度分布對(duì)于引出電壓和軸向磁場(chǎng)的變化并不敏感，因?yàn)殡x子源應(yīng)用于離子注入系統(tǒng)中, 注入離子的參數(shù)如能量、流強(qiáng)等可能常要求改變, 但束分布的均勻性、束斑大小、散角以及發(fā)射度等并不發(fā)生大的變化, 這樣注入的設(shè)備就變得簡(jiǎn)單, 調(diào)節(jié)起來(lái)也顯得方便。
為了不斷適應(yīng)各種新的需要，研究人員不斷改進(jìn)MEVVA源。通常在進(jìn)行離子注入時(shí)要求束流密度分布是均勻的,而MEVVA源的束流密度屬于高斯分布，因此改善束流的均勻性成為離子注入機(jī)領(lǐng)域的重要研究課題。國(guó)外有科學(xué)家(俄羅斯A.I.Ryabch ikov)曾嘗試控制等離子體的發(fā)射角，使得等離子體打到陽(yáng)極柵網(wǎng)上，而不打到陽(yáng)極筒上，從而得到一個(gè)較均勻的分布。國(guó)內(nèi)有研究者試圖在陰極弧斑附近適當(dāng)位置加入會(huì)切磁場(chǎng)使等離子體在低速時(shí)改變它的運(yùn)動(dòng)方向，得到比較均勻的等離子體分布，并且適當(dāng)調(diào)整會(huì)切磁場(chǎng)的強(qiáng)度可以得到一個(gè)相當(dāng)平坦的電荷密度分布[5]。研究表明聚焦磁場(chǎng)對(duì)等離子體有明顯的壓縮作用、可大幅度提高陽(yáng)極孔引出等離子體的密度，從而將普通陰極真空弧沉積的沉積速率提高了約3倍，并使膜層中大顆粒的含量大幅度減少，合成薄膜的表面粗糙度下降了1個(gè)數(shù)量級(jí)。北京師范大學(xué)低能核物理研究所的王廣甫等人發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)在陰極接地和陽(yáng)極接地兩種情況下，弧源的工作性能有很大的差異[6]。陰極接地時(shí)，因聚焦磁場(chǎng)對(duì)觸發(fā)放電產(chǎn)生的弱等離子體中電子的壓縮作用隨聚焦磁場(chǎng)的升高，電子打到陽(yáng)極的位置離陰極越來(lái)越遠(yuǎn)，數(shù)量越來(lái)越少，當(dāng)聚焦磁場(chǎng)對(duì)此弱等離子體中電子的壓縮作用使大量電子打到陽(yáng)極以遠(yuǎn)，而打到陽(yáng)極上的電子數(shù)量不足以溝通主弧回路時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)斷弧;而陽(yáng)極接地時(shí)，因靶室外殼接地也可起到陽(yáng)極作用，打到陽(yáng)極外的電子，會(huì)打在靶室入口法蘭上，當(dāng)打到陽(yáng)極上的電子數(shù)量不足以溝通主弧回路時(shí)，打在靶室入口法蘭上的電子仍會(huì)通過(guò)靶室入口法蘭溝通主弧回路。吳先映等研究人員研制出了5O型MEVVA 源注入機(jī)，平均引出束流達(dá)50 mA 以上，處理面積達(dá)8400，適合于產(chǎn)業(yè)化規(guī)劃的離子束材料表面改性用離子注入機(jī)。
總之，MEVVA源作為一種新型強(qiáng)流金屬離子源，可產(chǎn)生元素周期表中從鋰到鈾的所有金屬離子，金屬離子束流強(qiáng)、束斑大，特別適用于科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用。使用MEVVA源的強(qiáng)流離子注入機(jī)是新一代離子注入材料表面改性設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊，效率高，成本低，工作穩(wěn)定可靠。其中MEVVA100離子注入機(jī)，是具有目前世界上最大束流功率的金屬離子注入機(jī)。下表是各種型號(hào)MEVVA源離子注入機(jī)基本性能參數(shù)的比較。
4.2 利用MEVVA源金屬離子注入技術(shù)的相關(guān)研究
材料中某些最重要的性能是由近表面數(shù)微米甚至更淺的薄層內(nèi)的組分和結(jié)構(gòu)所決定的，尤其是材料的光、電磁、磨損、腐蝕等性能，更是強(qiáng)烈地依賴于材料表面的成分和狀態(tài)，而離子注入正是改變材料表面成分和狀態(tài)的有效手段。因此離子注入技術(shù)在材料領(lǐng)域尤其是在材料表面改性方面的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。
4.2.1 半導(dǎo)體材料的離子注入
在目前的半導(dǎo)體和集成電路生產(chǎn)中，利用離子注入技術(shù)進(jìn)行摻雜已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散和外延方法，成為半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中的基本工藝之一。離子注入可以實(shí)現(xiàn)低溫、定向、定量的摻雜，這一點(diǎn)是熱擴(kuò)散工藝所不及的。例如在GaAs集成電路和器件研制中,離子注入是關(guān)鍵技術(shù)之一。在器件研制中需要形成n型或p型高濃度層,由于自補(bǔ)償效應(yīng)等原因,在GaAs中n型層很難高于(3~4)×/cm3濃度。選用Si+As雙注入,使Si能更多地替Ga位,大大提高了載流子濃度。當(dāng)選用適當(dāng)注入和退火時(shí),得到峰值載流子濃度為3×/cm3的n型高濃度層。國(guó)內(nèi)材料Si+注入后遷移率低，研究發(fā)現(xiàn), 選用優(yōu)質(zhì)Si-GaAs材料,消除注入時(shí)BF+束流對(duì)束流的影響,在950℃~960℃5 s白光快速退火的條件下可得到優(yōu)質(zhì)的n型層，此技術(shù)可穩(wěn)定地將電激活率提高80%~100%,遷移率3 500cm2/V·s左右。
4.2.2 金屬材料的離子注入改性
離子注入是一種非熱平衡過(guò)程，不受平衡固溶度和熱力學(xué)規(guī)律的限制�？梢园褍煞N或幾種互不相溶的合金組元人為地制造成固溶體，為金屬材料表面改性開(kāi)拓了更具前景的全新工藝。近年來(lái)有關(guān)這方面的研究進(jìn)行得異常活躍，取得了矚目的研究成果。
如MEVVA源離子注入陶瓷刀具表面改性研究。陶瓷具有高硬度和高溫強(qiáng)度、抗蠕變、高的抗氧化性能和高溫化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，但由于其化學(xué)鍵局限和制備過(guò)程中的微裂紋和缺陷等原因具有表面斷裂敏感性，表現(xiàn)出低韌性、低拉伸強(qiáng)度、低抗彎強(qiáng)度等缺點(diǎn)，材料可靠性和重現(xiàn)性低，而一些材料磨損系數(shù)相對(duì)較高、磨損行為欠佳、抗熱震性能不足等問(wèn)題也限制了材料的使用。離子注入能將所需元素離子在幾十至幾百千伏電壓下注入到陶瓷材料表面，在零點(diǎn)幾微米的表層中增加注入元素濃度，通過(guò)非平衡態(tài)材料輻照損傷和化學(xué)效應(yīng)等途徑使陶瓷組成和微觀結(jié)構(gòu)以一種可控方式改變，從而強(qiáng)烈地影響離子注入后的陶瓷表面力學(xué)性能。清華的研究人員首次采用金屬弧(MEVVA )源對(duì)氧化鋁、氮化硅等陶瓷刀具進(jìn)行了注入金屬Ti、 Zr和Cr離子改性研究，確定了注入劑量與陶瓷刀具性能的之間的關(guān)系。改性后陶瓷材料表觀納米硬度、楊氏模量和抗彎強(qiáng)度最大分別可以增加51%、41%和66%，刀具壽命比改性前提高2到12倍。
又如硅離子注入聚合物表面改性的研究。用MEVVA離子源引出的Si離子注人聚醋薄膜(PET)。硅離子注人聚合物后，聚合物表面結(jié)構(gòu)的變化使抗磨損特性發(fā)生了變化，隨注人劑量的增加，其抗磨損能力增強(qiáng)，同時(shí)也與離子種類相關(guān)。注人的硅原子很容易與沉積的碳相結(jié)合而形成SIC，SIC質(zhì)地堅(jiān)硬，因此能有效改善聚合物表面強(qiáng)化特性。用納米硬度測(cè)量表明Si離子注人PET表面硬度和楊氏模量，其值分別比未注入PET大12.5和2.45倍.用透射電子顯微鏡對(duì)樣品橫截面觀察表明，硅和碳顆粒已經(jīng)形成，Si離子注入聚醋膜厚度大于200nm的強(qiáng)化層已經(jīng)形成.原子力顯微鏡觀察表明Si注人層表面比未注入層表面更平滑，從而使Si離子注人后的PET膜表面性能得到優(yōu)化處理。
由于金屬在水溶液中的腐蝕是最常見(jiàn)也是最主要的腐蝕現(xiàn)象，由于腐蝕發(fā)生在金屬表面,人們利用離子注入來(lái)改變金屬材料表面成分、結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài),以期達(dá)到材料表面抗腐蝕的效果。在H13鋼注入C和Ti形成抗腐蝕鈍化層，這種鈍化層既能抗酸性腐蝕,又具有優(yōu)良的抗堿性點(diǎn)蝕特性。研究表明表明,在C注量不變時(shí),增加Ti注量可使抗腐蝕特性增強(qiáng);而在Ti注量不變時(shí),增加C注量可使抗點(diǎn)蝕特性增強(qiáng)。也有研究表明用Ti、C和Ti+C離子注入H13鋼表面會(huì)形成不同程度的納米相鑲嵌復(fù)合層，對(duì)鋼的表面硬度、摩擦系數(shù)和耐磨性能有很大的影響。經(jīng)過(guò)Ti+C雙注入的H13鋼熱擠壓模，擠壓鋁合金坯材達(dá)3噸后，模具孔徑尺寸尚未超差，型材表面質(zhì)量滿足要求，模具使用壽命提高3O倍以上。另外有研究表明經(jīng)過(guò)MEVVA源離子注入的抽氣泵，工作電流由6.3 A 以上降到4.7 A 以下，降低能耗25%以上，抽氣泵的工作狀況也比未注入的泵更加穩(wěn)定可靠。
4.2.3 離子注入在薄膜制作中的應(yīng)用
放電穩(wěn)定、陰極材料蒸發(fā)離化率高、離子能量高和沉積速率快的陰極真空弧放電等離子體沉積(VAPD) 技術(shù)已廣泛地用于沉積金屬膜、類金剛石膜、TiN 膜和半導(dǎo)體膜等薄膜或涂層的制備。所生成的薄膜具有膜層均勻、附著力強(qiáng)、表面光潔、機(jī)械性能好等特點(diǎn),可按不同的要求應(yīng)用于耐腐蝕、耐磨損及超高硬度涂層。近年來(lái),隨著真空磁過(guò)濾沉積、激光消融等制備技術(shù)的出現(xiàn)和工藝的發(fā)展,人們獲得了sp3鍵含量大于85 %的類金剛石(DLC) 膜。由于它呈現(xiàn)高度的金剛石特性,而且具有非晶結(jié)構(gòu),故也被稱為非晶金剛石。它具有組織均勻、可以大面積沉積、成本低、表面平整等一系列優(yōu)點(diǎn)。真空磁過(guò)濾弧沉積技術(shù)是制備高質(zhì)量無(wú)氫非晶金剛石薄膜的理想方法,可以在室溫下高效率、大面積制備DLC 薄膜。有采用磁過(guò)濾MEVVA 源制備DLC 膜的研究表明，沉積能量對(duì)薄膜的sp3 鍵含量的影響為sp3 鍵含量先隨能量的增加而增加,當(dāng)能量達(dá)100 eV 后,能量再增加薄膜中的sp3 鍵含量反而下降;非晶金剛石薄膜的硬度達(dá)到天然金剛石材料的硬度值,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于襯底材料的硬度值;摩擦因數(shù)大大低于襯底材料單晶硅的摩擦因數(shù)和不銹鋼的摩擦因數(shù)。
4.2.4 離子注入在生物誘變中的應(yīng)用
離子注入是80年代興起的一種材料表面處理技術(shù)。我國(guó)曾有科研工作者把離子注入這一高技術(shù)率先應(yīng)用于作物品種改良和生物效應(yīng)研究，獲得了損傷輕、突變率高、突變譜廣的結(jié)果，令世人注目。抗生素在醫(yī)學(xué)、獸醫(yī)學(xué)、家畜飼養(yǎng)、植物保護(hù)學(xué)、生化研究等方面起巨大作用。曾有研究者將生長(zhǎng)良好的供試菌菌落或剛涂布于高氏一號(hào)瓊脂平皿的單抱子，置SA離子器靶室水冷底座上，控制溫度不超過(guò)50℃，由離子源引出荷能N+脈沖式注入，能量為30kev，注入劑量分別為:3x10、10X10、15x10、20x10、30x10、45X10 (N/cm)，考察離子注入對(duì)產(chǎn)量的影響。離子注入誘發(fā)變異所篩選到的正突變株經(jīng)考察較穩(wěn)定。從15X10 N/cm處理獲得的正突變菌株篩選到15一32號(hào)菌株，其效價(jià)比出發(fā)菌株提高75.3%，從30x10N/cm處理中篩選到30一38號(hào)菌株比出發(fā)菌提高61.5%。將初篩獲得的效價(jià)較高的菌株48株，經(jīng)連續(xù)繁殖轉(zhuǎn)移三代后，再發(fā)酵測(cè)定效價(jià)，結(jié)果有75%的菌株保持或略高于第一代的效價(jià)，25%的菌株效價(jià)下降20~40%[18]。
需要說(shuō)明的是，MEVVA源作為一種高能粒子注入源，主要適合于金屬離子，對(duì)于非金屬離子注入(如N、Si、As等)的相關(guān)研究，譬如在生物誘種和半導(dǎo)體器件方面的應(yīng)用，一般都不用MEVVA源，而是采用其他離子注入技術(shù)。
4.3 結(jié)論
經(jīng)過(guò)大量的調(diào)研，我們發(fā)現(xiàn)離子注入技術(shù)作為一種新型的表面改性技術(shù)，具有其它表面改性技術(shù)所不具備的突出優(yōu)點(diǎn)，不僅能量高、溫度低，而且可控性強(qiáng)，操作度高，因此不僅在材料科學(xué)與工程中獲得了廣泛的應(yīng)用，還沿及生物科學(xué)，對(duì)當(dāng)今全球糧食危機(jī)就如何提高糧食產(chǎn)量又提供了一個(gè)契機(jī)。MEVVA源離子注入技術(shù)首先被用在半導(dǎo)體參雜上取得了很好的成效;離子注入某些元素可以大大加強(qiáng)機(jī)械原件的物理性能而只改變其表面形態(tài)，這種技術(shù)已經(jīng)被用于一些高薪技術(shù)產(chǎn)業(yè)中;MEVVA源還可用于制備類金剛石薄膜，另外由于MEVVA源屬于強(qiáng)流離子注入，是一種非平衡態(tài)過(guò)程，為對(duì)于擴(kuò)散行為、薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程和機(jī)理等理論研究提供了很好的研究方法。迄今為止已取得的研究成果表明，離子注入將為材料科學(xué)的理論研究和新材料的開(kāi)發(fā)應(yīng)用做出越來(lái)越大的貢獻(xiàn)。
參考文獻(xiàn)
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