Intel實現(xiàn)內(nèi)存硬盤合體

　　Intel和美光在7月份的時候正式宣布了3DXPoint技術(shù)，這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲方案，理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤快千倍。當然，不能指望新技術(shù)一眼之間就改變現(xiàn)有產(chǎn)品的面貌，Intel宣布年底推出的首個3DXPoint技術(shù)Optane固態(tài)硬盤，目前的測試水平為傳統(tǒng)固態(tài)硬盤的5-7倍。

　　初步判斷，Optane的首批規(guī)格應(yīng)該是采用PCIExpress3.0x4接口，帶寬4GB/s（32Gbps），保持與現(xiàn)有的數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器兼容。

　　不過，更重要的是，3DXPoint統(tǒng)一了DRAM內(nèi)存和SSD，即把非易失性技術(shù)應(yīng)用于系統(tǒng)內(nèi)存制造NVDIMMs，俗稱內(nèi)存硬盤合體。

　　英特爾即將推出的至強E5V4“Broadwell-EP”處理器有高達22核心，且正式支持PC4-19200（2400MHz的DDR4）的內(nèi)存，最高提供的帶寬達到19.2GB/秒。從理論上講，3DXPointNVDIMMs可以提供類似的帶寬，但Intel表示，由于接口的限制，最高只能到6GB/秒。

　　要知道，Intel想把這樣的內(nèi)存投放市場，必須符合JEDEC為了保證SSD平臺兼容性修訂的相應(yīng)標準，DDR4只好妥協(xié)，其實人家潛在能量還是很大的。

　　英特爾與美光現(xiàn)在堅信，3DXPointDIMM憑借獨特優(yōu)勢即極端的讀寫速度，更高的可靠性（相比NAND）和大規(guī)模高密度，今后會在數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)中占到很重要的地位。

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