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筆記本SDR內(nèi)存參數(shù)詳解
隨著人們對更高工作效率的不斷追求，筆記本電腦逐漸走入了人們的生活，成為現(xiàn)代移動辦公最有效的工具之一，越來越多的人依靠它方便地進行事務(wù)管理、資料查詢。以下是小編幫大家整理的筆記本SDR內(nèi)存參數(shù)詳解，供大家參考借鑒。
從PC100標準開始內(nèi)存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設(shè)置內(nèi)存的存取時間。我們可以借助SiSoftSandra2001這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAMPC133U-333-542就表示被測內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范。
內(nèi)存技術(shù)規(guī)范統(tǒng)一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內(nèi)存規(guī)范，其格式也有所不同。
1、PC66/100SDRAM內(nèi)存標注格式
(1)1.0---1.2版本
這類版本內(nèi)存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標準工作頻率，用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS縱列存取等待時間)，用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3;c表示最少的Trcd(RAS相對CAS的延時)，用時鐘周期數(shù)表示，一般為2;d表示TRP(RAS的預(yù)充電時間)，用時鐘周期數(shù)表示，一般為2;e表示最大的tAC(相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間)，一般為6(ns)或6.5，越短越好;f表示SPD版本號，所有的PC100內(nèi)存條上都有EEPROM，用來記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合IntelPC100規(guī)范的為1。2版本以上;g代表修訂版本;h代表模塊類型;R代表DIMM已注冊，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊。
(2)1.2b+版本
其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標準工作頻率，用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS縱列存取等待時間)，用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3;c表示最少的Trcd(RAS相對CAS的延時)，用時鐘周期數(shù)表示;d表示TRP(RAS的預(yù)充電時間)，用時鐘周期數(shù)表示;ee代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，表達時不帶小數(shù)點，如54代表5.4nstAC;ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2;g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2;h代表模塊類型;R代表DIMM已注冊，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊。
2、PC133SDRAM(版本為2.0)內(nèi)存標注格式
威盛和英特爾都提出了PC133SDRAM標準，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD;英特爾的PC133規(guī)范要嚴格一些，是PC133CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。PC133SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標準工作頻率，單位MHZ;b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區(qū);c表示最小的CL(即CAS的延遲時間)，用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3;d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘周期數(shù)表示;e表示RAS預(yù)充電時間，用時鐘周期數(shù)表示;ff代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，表達時不帶小數(shù)點，如54代表5.4nstAC;g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。
3、PC1600/2100DDRSDRAM(版本為1.0)內(nèi)存標注格式
其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單位為MB/s;a*1/16=內(nèi)存的標準工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對應(yīng)的標準工作頻率為2100*1/16=133MHZ;b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區(qū);cc表示CAS延遲時間，用時鐘周期數(shù)表示，表達時不帶小數(shù)點，如25代表CL=2.5;d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘周期數(shù)表示;e表示RAS預(yù)充電時間，用時鐘周期數(shù)表示;ff代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，表達時不帶小數(shù)點，如75代表7.5nstAC;g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。
4、RDRAM內(nèi)存標注格式
其格式為：aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示內(nèi)存容量;b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量;c代表內(nèi)存支持ECC;d保留;e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標準工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s，對應(yīng)的標準工作頻率為800*1/2=400MHZ。
5、各廠商內(nèi)存芯片編號
內(nèi)存打假的方法除了識別內(nèi)存標注格式外，還可以利用刻在內(nèi)存芯片上的編號。內(nèi)存條上一般有多顆內(nèi)存芯片，內(nèi)存芯片因為生產(chǎn)廠家的不同，其上的編號也有所不同。由于韓國HY和SEC占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，它們產(chǎn)的內(nèi)存芯片質(zhì)量穩(wěn)定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內(nèi)存，先來看看它們的內(nèi)存芯片編號。
(1)HYUNDAI(現(xiàn)代)
現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號格式為：
其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品;5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM);b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef);fg代
表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬(40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位);h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成(1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系);I代表接口(0=LVTTL[LowVoltageTTL]接口);j代表內(nèi)核版本(可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片);lm代表封裝形式(JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II);no代表速度(7=7ns[143MHz]，8=8ns[125MHz]，10p=10ns[PC-100CL2或3]，10s=10ns[PC-100CL3]，10=10ns[100MHz]，12=12ns[83MHz]，15=5ns[66MHz])。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內(nèi)核，TC是400milTSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
1.SDRAM內(nèi)存(老版本
第1字段由HY組成，代表現(xiàn)代產(chǎn)品。
第2字段代表產(chǎn)品類型，57代表DRAM;5D的代表DDRSDRAM。
第3字段代表電壓，V代表3.3V;U代表2.5V。
第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新);16代表16M(4K刷新);64代表64M(8K刷新);65代表64M(4K刷新);128代表128M(8K刷新);129代表128M(4K刷新);257代表256MB(8K刷新)。
第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬，40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位。
第6字段代表芯片組成，1代表2BANK;2代表4BANK。
第7字段代表電氣接口，0代表LVTTL;1代表SSTL;2代表SSTL2。
第8字段代表芯片修正版本;空白代表第1版，A代表第2版;B代表第3版;C代表第4版;D的代表第5版。
第9字段代表功耗，空白代表普通;L代表低功耗。
第10字段代表封裝方式;JC代表400milSOJ;TC代表400milTSOPⅡ、TD的代表13mmTSOP-II、TG代表
TSOP-Ⅱ;TQ代表100PinTQFPI。
第11字段代表內(nèi)存的速度，5代表5ns(200MHz);55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8代表8ns(125MHz);10P代表10ns(100MHz@CL=2或3);10S代表10ns(100MHz@CL=3);10代表10ns(100MHz);12代表12ns(83MHz);15代表15ns(66MHz)。
2.SDRAM內(nèi)存(新版本
第1字段由HY組成，代表現(xiàn)代產(chǎn)品。
第2字段代表產(chǎn)品類型，57代表SDRAM。
第3字段代表電壓，V代表3.3V。
第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新);65代表64M(8K刷新);28代表128M(4K刷新);56代表256M(8K刷新)。
第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬，4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。
第6字段代表芯片組成，1代表2BANK;2代表4BANK。
第7字段代表意義不詳，一般為0。
第8字段代表電氣接口，0代表LVTTL;1代表SSTL_3。
第9字段代表芯片修正版本;空白或H代表第1版，A或HA代表第2版;B或HB代表第3版;C或HC代表第4版。
第10字段代表封裝方式;T代表TSOP;Q代表TQFP;I代表BLP;L代表CSP(LF-CSP)。
第11字段代表內(nèi)存的速度，5代表5ns(200MHz);55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);K代表7.5ns(PC133@CL=2);H代表7.5ns(PC133@CL=3);8代表8ns(125MHz);P代表10ns(PC100@CL=2);S代表10ns(PC100@CL=3);10代表10ns(100MHz)。
市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難;編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行;編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩(wěn)定。一般來講，編號最后兩位是7K的代表該內(nèi)存外頻是PC100，75的是PC133的，但現(xiàn)代內(nèi)存目前尾號為75的早已停產(chǎn)，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現(xiàn)代內(nèi)存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現(xiàn)代內(nèi)存。
筆記本電腦內(nèi)存條知識
1.品牌
筆記本的內(nèi)存分品牌、DDR代數(shù)、規(guī)格、大小以及顯存顆粒的品牌。品牌大家應(yīng)該都了解，任何產(chǎn)品都有生產(chǎn)商。筆記本用內(nèi)存品牌比較有名的比如金士頓、三星、南亞以及海力士之類的，這些品牌的內(nèi)存條在筆記本上面用的非常的廣泛。
2.DDR代數(shù)
其次是DDR代數(shù)，進過多年的技術(shù)改革，內(nèi)存條已經(jīng)開始廣泛使用第三代內(nèi)存了。而在使用的筆記本中其實還是以二代內(nèi)存居多，一代顯得有點少了。大小就不用疑問了，基本上現(xiàn)在最小的都是2GB了，標準4GB內(nèi)存，筆記本的內(nèi)存條最大的容量已經(jīng)達到16GB，當然這是能夠在市場上面見得到的，至于更高級的我們可能見不到。
3.顯存顆粒
顯存顆粒，就是內(nèi)存條板材上面的黑色小芯片，內(nèi)存好不好，內(nèi)存顆粒就有著很大的決定性。有可能你買的是金士頓的內(nèi)存條，但是上面確實海力士的顯存顆粒，這種內(nèi)存條在我們看來就不是特別好，要品牌與內(nèi)存顆粒是一樣的，質(zhì)量會更好。
以上說的是關(guān)于筆記本內(nèi)存條方面的知識，我們來說如果新加的內(nèi)存條與本機不兼容，會有什么情況出現(xiàn)。內(nèi)存條加好了，電腦就能夠運行的更暢快，如果你添加的內(nèi)存條與電腦不兼容，直接一點的就是電腦一開機就會藍屏，如果不把新加的條子拿下來就什么都解決不了。情況好一點的就是電腦越來越卡了，還沒有以往的速度，最好不過的就是與以往的速度沒有什么區(qū)別。這就是浪費資源了。
內(nèi)存條的添加其實很簡單，你要知道自己筆記本里面是使用的什么內(nèi)存條，比如三星DDR2 800 1G的內(nèi)存條，那么你如果要加1G的話，也要完全按照這個規(guī)格來，不能去搞個DDR2 667 1G的，這就有點沖突了�；蛘吒苯右稽c的就是拋棄原先的條子，直接上一根其他品牌的4G或者8GB內(nèi)存（筆記本要最大支持為前提），這樣也會有很好的效果。
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