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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)填空題及答案
在電子技術(shù)運用范圍越來越廣之際，同學們對電子技術(shù)的學習得怎么樣了呢?下面yjbys小編為大家分享最新的電子技術(shù)考試題及答案，僅供參考!
1.在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為 0.5V，導通后在較大電流下的正向壓降約為 0.7V;鍺二極管的門檻電壓約為 _0.1_V，導通后在較大電流下的正向壓降約為_0.2_V。
2、二極管的正向電阻 小 ;反向電阻 大 。
3、二極管的最主要特性是 單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時，擴散電流 大于 漂移電流，耗盡層 變窄 。
4、二極管最主要的電特性是 單向?qū)щ娦?，穩(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個 電阻 。
5、電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術(shù)，稱為 模擬 電子技術(shù)。
6、PN結(jié)反向偏置時，PN結(jié)的內(nèi)電場 增強 。PN具有 具有單向?qū)щ?特性。
7、硅二極管導通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為 0.7 伏;其門坎電壓Vth約為 0.5 伏。
8、二極管正向偏置時，其正向?qū)娏饔?多數(shù) 載流子的 擴散 運動形成。
9、P型半導體的多子為 空穴 、N型半導體的多子為 自由電子 、本征半導體的載流子為 電子—空穴對 。
10、因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導體可為 空穴(P) 半導體和 電子(N) 半導體兩大類。
11、二極管的最主要特性是 單向?qū)щ娦?，它的兩個主要參數(shù)是反映正向特性的 最大整流電流 和反映反向特性的 反向擊穿電壓 。
12、在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.5V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V。
13、頻率響應是指在輸入正弦信號的情況下， 輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應 。
15、N型半導體中的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是 空穴 。
16、按一個周期內(nèi)一只三極管的導通角區(qū)分，功率放大電路可分為 甲類 、 乙類 、 甲乙類 三種基本類型。
17、在阻容耦合多級放大電路中，影響低頻信號放大的是 耦合和旁路 電容，影響高頻信號放大的是 結(jié) 電容。
18、在NPN三極管組成的基本共射放大電路中，如果電路的其它參數(shù)不變，三極管的β增加，則IBQ 增大 ，ICQ 增大 ，UCEQ 減小 。
19、三極管的三個工作區(qū)域是 截止 ， 飽和 ， 放大 。集成運算放大器是一種采用 直接 耦合方式的放大電路。
20、某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 試問該三極管是 硅管 管(材料)， NPN 型的三極管，該管的集電極是a、b、c中的 C 。
21、已知某兩級放大電路中第一、第二級的對數(shù)增益分別為60dB和20dB, 則該放大電路總的對數(shù)增益為 80 dB，總的電壓放大倍數(shù)為 10000 。
22、 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件是： 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 。某放大電路中的三極管，測得管腳電壓Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 這是 硅 管(硅、鍺)， NPN 型，集電極管腳是 a 。
23、三種不同耦合方式的放大電路分別為： 阻容(RC)耦合 、 直接耦合 和_變壓器耦合_，其中 直接耦合 能夠放大緩慢變化的信號。
24、在多級放大電路中，后級的輸入電阻是前級的 負載 ，而前級的輸出電阻可視為后級的 信號源的內(nèi)阻 。多級放大電路總的通頻帶比其中每一級的通頻帶 要窄 。
25、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入12kΩ的負載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為 4 kΩ 。
26、為了保證三極管工作在放大區(qū)，要求：
�、侔l(fā)射結(jié) 正向 偏置，集電結(jié) 反向 偏置。②對于NPN型三極管，應使VBC <0 。
27、放大器級間耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和 變壓器 耦合三大類。
28、在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中，共射和共基組態(tài)有電壓放大作用，共射 組態(tài)有電流放大作用， 共射和共集 組態(tài)有倒相作用; 共集 組態(tài)帶負載能力強， 共集 組態(tài)向信號源索取的電流小， 共基 組態(tài)的頻率響應好。
29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是 共集 、 共基 、 共射 。
30、多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 變壓器耦合 。
31、在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位差為 1800 ;當為共集電極電路時，則VO和VI的相位差為 0 。
32、放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 飽和 失真和 截止 失真。
33、晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結(jié) a ，集電結(jié) a ;工作在放大區(qū)時，集電結(jié) b ，發(fā)射結(jié) a 。(填寫a正偏，b反偏，c零偏)
34、在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用 共射 組態(tài);希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用 共集 組態(tài)。
35、場效應管同雙極型三極管相比，其輸入電阻 大 ，熱穩(wěn)定性 好
36、影響放大電路通頻帶下限頻率fL的是 隔直 電容和 極間 電容。
37、三極管工作在放大區(qū)時，它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，集電結(jié)保持 反向 偏置。
38、場效應管有 共源 、 共柵 、 共漏 三種組態(tài)。
39、在多級放大電路中總的通頻帶比其中每一級的通頻帶 窄 。
40、場效應管從結(jié)構(gòu)上分成 結(jié)型FET 和 MOSFET 兩大類型，它屬于 電壓 控制型器件。
41、場效應管屬于 電壓控制電流 型器件，而雙極型半導體三極管則可以認為是 電流控制電流 型器件。
42、場效應管是 電壓控制電流器件 器件，只依靠 多數(shù)載流子 導電。
43、根據(jù)場效應管的輸出特性，其工作情況可以分為 可變電阻區(qū) 、恒流區(qū)、 擊穿區(qū) 和截止區(qū)四個區(qū)域。
44、當柵源電壓等于零時，增強型FET 無 導電溝道，結(jié)型FET的溝道電阻 最小 。
45、FET是 電壓控制 器件，BJT是 電流控制 器件。
46、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為 甲類 。
47、一個輸出功率為10W的擴音機電路，若用乙類推挽功放，則應選額定功耗至少應為 2W 的功率管 2 只。
48、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為 甲類 ，為了消除交越失真常采用 甲乙類 電路。
49、乙類功放的主要優(yōu)點是 效率高 ，但出現(xiàn)交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙類 。
50、乙類互補對稱功率放大電路產(chǎn)生特有的失真現(xiàn)象叫 交越 失真。
51、雙電源互補對稱功率放大電路(OCL)中VCC=8v，RL=8Ω，電路的最大輸出功率為 4W ，此時應選用最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差動放大電路中的長尾電阻Re或恒流管的作用是引人一個 共模負 反饋。
53、已知某差動放大電路Ad=100、KCMR=60dB，則其AC= 0.1 。集成電路運算放大器一般由 差分輸入級 、中間級、輸出級、 偏置電路 四部分組成。
54、差分式放大電路能放大直流和交流信號，它對 差模信號 具有放大能力，它對 共模信號 具有抑制能力。
55、差動放大電路能夠抑制 零漂 和 共模輸入信號 。
56、電路如圖1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，則I2≈ 0.4 mA，I3≈0.2mA，則R3≈ 10 kΩ。
57、集成運放通常由 輸入級 、中間級;輸出級、 偏置級 四個部分組成。
58、正反饋是指 反饋信號增強凈輸入信號 ;負反饋是指 反饋信號減弱凈輸入信號 。
59、電流并聯(lián)負反饋能穩(wěn)定電路的 輸出電流 ，同時使輸入電阻 減小 。
60、負反饋對放大電路性能的改善體現(xiàn)在：提高 增益的穩(wěn)定性 、減小 非線性失真 、抑制 反饋環(huán)內(nèi)噪聲 、擴展 頻帶 、改變輸入電阻和輸出電阻。
61、為了分別達到下列要求，應引人何種類型的反饋：
①降低電路對信號源索取的電流： 串聯(lián)負反饋 。
�、诋敪h(huán)境溫度變化或換用不同值的三極管時，要求放大電路的靜態(tài)工作點保持穩(wěn)定： 直流負反饋 。
�、鄯�(wěn)定輸出電流： 電流負反饋 。
62、電壓串聯(lián)負反饋能穩(wěn)定電路的 輸出電壓 ，同時使輸入電阻 大 。
63、某負反饋放大電路的開環(huán)放大倍數(shù)A=100000，反饋系數(shù)F=0.01，則閉環(huán)放大倍數(shù) 100 。
64、負反饋放大電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是 。
65、負反饋放大電路的四種基本類型是 電壓串聯(lián) 、 電壓并聯(lián) 、 電流串聯(lián) 、 電流并聯(lián) 。
66、為穩(wěn)定電路的輸出信號，電路應采用 負 反饋。為了產(chǎn)生一個正弦波信號，電路應采用 正 反饋。
67、理想集成運算放大器的理想化條件是Aud= ∞ 、Rid= ∞ 、KCMR= ∞ 、RO= 0
68、理想運算放大器的理想化條件中有Avd= 無窮 ，KCMR= 無窮 。
69、電流源電路的特點是，直流等效電阻 小 ，交流等效電阻 大 。
70、電流源的特點是輸出電流 恒定 ，直流等效電阻 小 ，交流等效電阻 大 。
71、工作在線性區(qū)的理想集成運放有兩條重要結(jié)論是 虛斷 和 虛短 。
72、理想運算放大器，Ad= 無窮大 、Ri= 無窮大 、Ro= 0 。
73、在構(gòu)成電壓比較器時集成運放工作在開環(huán)或 正反饋 狀態(tài)。
74、如果有用信號頻率高于1000Hz, 可選用 高通 濾波器;如果希望500 Hz以下的有用信號，可選用 低通 濾波器。
75、選取頻率高于1000Hz的信號時, 可選用 高通 濾波器;抑制50 Hz的交流干擾時，可選用 帶阻 濾波器;如果希望抑制500 Hz以下的信號，可選用 高通 濾波器。
76、有用信號頻率高于1000Hz, 可選用 高通 濾波器;希望抑制50 Hz的交流電源干擾，可選用 帶阻 濾波器;如果希望只通過500Hz到1kHz的有用信號，可選用 帶通 濾波器。
77、根據(jù)工作信號頻率范圍濾波器可以分為：低通濾波器、 高通濾波器 、帶通濾波器及 帶阻濾波器 。
78、集成運算放大器在 線性 狀態(tài)和 理想工作 條件下，得出兩個重要結(jié)論，它們是： 虛斷 和 虛短 。
79、通用型集成運算放輸入級大多采用 差分放大 電路， 輸出級大多采用 共集 電路。
80、正弦波振蕩電路是由 放大電路 、 反饋網(wǎng)絡 、選頻網(wǎng)絡、 穩(wěn)幅環(huán)節(jié) 四個部分組成。
81、正弦波振蕩電路產(chǎn)生振蕩時，幅度平衡條件為 ，相位平衡條件為 n=0、1、2… 。
82、信號發(fā)生器原理是在電路負反饋時= -1 ，例如 自激 電路。在正反饋時= 1 ，例如 文氏 振蕩電路。
83、石英晶體振蕩器是 LC振蕩電路 的特殊形式，因而振蕩頻率具有很高的穩(wěn)定性。
84、正弦波振蕩電路利用正反饋產(chǎn)生振蕩的條件是 、其中相位平衡條件是 ，n為整數(shù) 、為使電路起振，幅值條件是 。
85、正弦波振蕩電路必須由 放大電路 、 反饋網(wǎng)絡 、 選頻網(wǎng)絡 、 穩(wěn)幅環(huán)節(jié) 四部分組成。
86、RC正弦波振蕩電路達到穩(wěn)定平衡狀態(tài)時有：= 3、= 、= 。
87、正弦波自激振蕩電路振蕩的平衡條件是 、 n為整數(shù)。
88、正弦波振蕩電路起振的條件是和 n為整數(shù)。
89、有用信號頻率高于1000Hz, 可選用 高通 濾波器。文氏電橋振蕩器中的放大電路電壓放大倍數(shù) Af≥3 ，才能滿足起振條件。
90、為了穩(wěn)定電路的輸出信號，電路應采用 交流負 反饋。為了產(chǎn)生一個正弦波信號，電路應采用 正 反饋。
91、直流電源是將電網(wǎng)電壓的 交流電 轉(zhuǎn)換成 直流電 的能量轉(zhuǎn)換電路。
92、三端集成穩(wěn)壓器7805輸出電壓 +5 V，7915輸出電壓 -15 V。
93、直流電源一般由下列四部分組成，他們分別為：電源變壓器、濾波電路、 穩(wěn)壓 電路和 整流 電路。穩(wěn)壓集成電路W7810輸出電壓 +10 V。
94、將交流電變換成脈動直流電的電路稱為整流電路;半波整流電路輸出的直流電壓平均值等于輸入的交流電壓(即變壓器副邊電壓)有效值的 0.45 倍;全波整流電路輸出的直流電壓平均值等于輸入的交流電壓(即變壓器副邊電壓)有效值的 0.9 倍。
95、三端集成穩(wěn)壓器7915的輸出電壓為 -15 伏。
96、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是輸出取樣電壓 。
97、開關(guān)型直流電源比線性直流電源效率高的原因是調(diào)整管的的狀態(tài)不同 。
98、小功率穩(wěn)壓電源一般由 電源變壓器 、 整流電路 、 濾波器 、 穩(wěn)壓電路 等四部分構(gòu)成。
99、 幅度失真 和 相位失真 總稱為頻率失真。
100、串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路由 調(diào)整管 、 比較放大 、 基準電壓 、 取樣環(huán)節(jié) 四部分組成。
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