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MOS值優(yōu)化移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)論文
1傳輸網(wǎng)、核心網(wǎng)側(cè)對(duì)于MOS值的影響與優(yōu)化
后臺(tái)觀察15min后，RNC、NodeB、7670發(fā)送cell包和接收cell包的時(shí)延，三者時(shí)延幾乎一致，說(shuō)明Iub口傳輸無(wú)時(shí)延丟包現(xiàn)象，傳輸網(wǎng)、核心網(wǎng)側(cè)參數(shù)設(shè)置滿(mǎn)足語(yǔ)音業(yè)務(wù)需求，MOS值已達(dá)到最優(yōu)。
2無(wú)線(xiàn)網(wǎng)側(cè)對(duì)于MOS值的影響與優(yōu)化
無(wú)線(xiàn)網(wǎng)側(cè)對(duì)MOS值的影響及優(yōu)化主要是通過(guò)對(duì)空口Uu的相關(guān)參數(shù)的檢驗(yàn)，包括空口參數(shù)及無(wú)線(xiàn)環(huán)境兩個(gè)方面的研究。
2.1空口數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量相關(guān)參數(shù)
分析檢查手機(jī)和NodeB之間的內(nèi)環(huán)和外環(huán)功率控制過(guò)程。在不影響網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)容量的情況下，手機(jī)和NodeB之間的語(yǔ)音信號(hào)采用適當(dāng)?shù)墓β士刂七^(guò)程，可以有效地減少語(yǔ)音數(shù)據(jù)傳輸誤碼。大量測(cè)試分析結(jié)果表明，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)內(nèi)環(huán)和外環(huán)功率控制過(guò)程達(dá)到系統(tǒng)設(shè)定要求，對(duì)MOS值的影響不大。空口無(wú)線(xiàn)側(cè)通過(guò)調(diào)節(jié)防止傳輸抖動(dòng)參數(shù)Framediscard來(lái)降低誤碼塊。針對(duì)不同的傳輸設(shè)備和傳輸中繼情況，應(yīng)設(shè)定與其傳輸條件相符的防止傳輸抖動(dòng)參數(shù)值，從而達(dá)到減少傳輸誤碼塊提高M(jìn)OS值的目的。表3是定點(diǎn)測(cè)試時(shí)，在防止傳輸抖動(dòng)參數(shù)設(shè)定不同值時(shí)相應(yīng)的MOS值變化，可以看出該參數(shù)選取27時(shí)，對(duì)應(yīng)MOS值最高為4.041，同時(shí)MOS值低于3所占的比例最小，故此種傳輸條件時(shí)應(yīng)將該參數(shù)設(shè)置為27以提高M(jìn)OS值。因此在不同的傳輸條件下必須要進(jìn)行大量的測(cè)試，通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)選定合適的防止傳輸抖動(dòng)參數(shù)值，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)MOS值的最大化。
2.2無(wú)線(xiàn)環(huán)境優(yōu)化
MOS值的高低與無(wú)線(xiàn)環(huán)境好壞有直接的關(guān)系。通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)MOS值的無(wú)線(xiàn)側(cè)優(yōu)化關(guān)鍵是優(yōu)化當(dāng)?shù)氐臒o(wú)線(xiàn)環(huán)境，而天饋線(xiàn)調(diào)整是最優(yōu)方法。下面通過(guò)案例來(lái)闡述無(wú)線(xiàn)環(huán)境對(duì)MOS值的影響。測(cè)試車(chē)輛由南向北行駛，行駛至某小區(qū)北側(cè)約290m處時(shí)，手機(jī)RSCP為-72.55dbm左右，Ec/Io強(qiáng)度較差，達(dá)到-11dB左右，此時(shí)該路段經(jīng)常發(fā)生各種問(wèn)題。通過(guò)實(shí)際勘測(cè)分析，發(fā)現(xiàn)某小區(qū)基站天線(xiàn)掛高45m，下傾角只有3度，該路段由于距離基站較近，存在塔下黑現(xiàn)象，并且根據(jù)該小區(qū)覆蓋圖發(fā)現(xiàn)某小區(qū)存在明顯越區(qū)覆蓋現(xiàn)象，無(wú)線(xiàn)環(huán)境較差，Ec/Io普遍小于-12db。調(diào)整某小區(qū)下傾角經(jīng)復(fù)測(cè)后，各小區(qū)之間接續(xù)良好，該路段Ec/Io得到增強(qiáng)，有明顯改善，Ec/Io值都分布在-6db到-8db之間，RSCP為-67.16dbm左右，無(wú)線(xiàn)環(huán)境得到了優(yōu)化，網(wǎng)絡(luò)的語(yǔ)音質(zhì)量MOS值得到提高。
3實(shí)驗(yàn)結(jié)果
MOS測(cè)試可以直觀反映用戶(hù)感知度，與以往MOS測(cè)試選擇道路作為選測(cè)點(diǎn)不同，此次MOS測(cè)試和提升主要是集中在12個(gè)典型的用戶(hù)住宅小區(qū)內(nèi)，意在通過(guò)提升住宅小區(qū)的MOS值來(lái)提高網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量。以萬(wàn)寶2區(qū)為例，從維護(hù)系統(tǒng)觀察到優(yōu)化后的RSCP覆蓋明顯優(yōu)于優(yōu)化前的覆蓋情況，優(yōu)化后電平值RSCP均大于-100dbm。表4是萬(wàn)寶2區(qū)優(yōu)化前后Ec/Io和MOS值的分布，從表中可以看出優(yōu)化前該小區(qū)的MOS均值是3.709，而優(yōu)化后其MOS均值為3.964，高出優(yōu)化前6.88個(gè)百分點(diǎn)。所選的12個(gè)居民小區(qū)優(yōu)化前后MOS值分布如圖1，通過(guò)計(jì)算得出其優(yōu)化前MOS均值為3.8173，優(yōu)化后的MOS均值為3.9322，并且優(yōu)化后的MOS值均高于優(yōu)化前的MOS值，說(shuō)明當(dāng)?shù)鼐W(wǎng)絡(luò)覆蓋水平提高，用戶(hù)感知度提高。當(dāng)取采樣點(diǎn)相近的幾個(gè)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行比較時(shí)，當(dāng)采樣點(diǎn)落在Ec/Io大于-6db比例增高時(shí)，MOS值也有所提升。而采樣點(diǎn)落在Ec/Io小于-12db比例增高時(shí)，MOS值有所下降。由此可以得出結(jié)論：為了實(shí)現(xiàn)MOS值的無(wú)線(xiàn)側(cè)優(yōu)化關(guān)鍵就是提高采樣點(diǎn)落在Ec/Io好區(qū)間的比例，降低采樣點(diǎn)落在Ec/Io差區(qū)間的比例，即優(yōu)化當(dāng)?shù)氐臒o(wú)線(xiàn)環(huán)境。通過(guò)對(duì)服務(wù)小區(qū)的基站進(jìn)行天饋線(xiàn)優(yōu)化，適當(dāng)調(diào)節(jié)天線(xiàn)的方位角與俯仰角，可以使得無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)覆蓋更加合理，減少導(dǎo)頻污染和覆蓋盲區(qū)等問(wèn)題，從而達(dá)到改善Ec/Io，提高當(dāng)?shù)責(zé)o線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)覆蓋，提高了MOS值，提升了用戶(hù)感知度。
4結(jié)束語(yǔ)
MOS值測(cè)試是對(duì)用戶(hù)通話(huà)習(xí)慣的模仿，真實(shí)反映用戶(hù)通話(huà)質(zhì)量，提升MOS值對(duì)于提高無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量，提升用戶(hù)感知度有至關(guān)重要的影響。在本文中，提出了提高M(jìn)OS值的傳輸、核心網(wǎng)側(cè)和無(wú)線(xiàn)側(cè)的優(yōu)化方案和手段，通過(guò)對(duì)12個(gè)小區(qū)進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了提高M(jìn)OS值的目的，證明了本文所提的優(yōu)化方案能有效提高M(jìn)OS值，具有廣泛推廣和借鑒的意義。
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