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溶膠凝膠法制備摻銻二氧化錫薄膜的光電特性和表面形貌
全部作者: 張道禮 鄧志兵 張建兵 陳良艷 趙嵐 第1作者單位: 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 論文摘要: 以金屬無機(jī)鹽SnCl2?2H2O和SbCl3為原料,用sol-gel法在普通的載玻片基底上制備了摻Sb的SnO2透明導(dǎo)電薄膜。薄膜在70oC干燥,400~550oC進(jìn)行熱處理。使用U-3310紫外可見光分光光度計(jì)對其光學(xué)透光率進(jìn)行測試分析,薄膜具有80~90%的可見光透光率。使用從XRD衍射圖來看銻摻雜SnO2薄膜具有和純的SnO2薄膜1樣的金紅石結(jié)構(gòu),并用顯微鏡觀察了薄膜。分析了銻摻雜的濃度、燒結(jié)溫度以及拉膜的次數(shù)對薄膜性質(zhì)的影響。 關(guān)鍵詞: 銻摻雜2氧化錫薄膜 溶膠-凝膠法 透明導(dǎo)電薄膜 電學(xué)和光學(xué)性能 (瀏覽全文) 發(fā)表日期: 2006年08月31日 同行評議:
1、摻雜2氧化錫薄膜已有很多研究報導(dǎo),本文參考文獻(xiàn)引用需給出重要的原始文獻(xiàn),合成方法方面也應(yīng)給出原始的英文文獻(xiàn)(Thin Solid Films 1996)。 2、文章中文字錯誤較多,如“Sb”在引言中作者寫為“Sib”,1些下標(biāo)也不對;圖6(b)的標(biāo)尺未給出;英文摘要不夠規(guī)范,建議重寫。而圖8則寫為圖6。 3、文中對晶粒變化對電阻率的解釋前后矛盾,第3頁中認(rèn)為“晶粒趨于完整、致密,晶界相減少,從而減小了自由載流子遷移散射率,電子遷移率增大,導(dǎo)電性提高”,而在第4頁中認(rèn)為“晶粒隨熱處理溫度的提高而長大,使得載流子遷移時受到晶界散射作用而導(dǎo)致遷移率降低的效應(yīng)減少......”。 4、文章創(chuàng)新性不夠,與他人已報導(dǎo)的研究成果相比并無先進(jìn)的地方。
綜合評價: 修改稿: 注:同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見,綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數(shù)值,以1至5顆星顯示。【溶膠凝膠法制備摻銻二氧化錫薄膜的光電特性和表面形貌】相關(guān)文章:
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