濺射功率對(duì)Ca2Si薄膜性質(zhì)的影響

全部作者： 任雪勇 謝泉 楊吟野 肖清泉 楊創(chuàng)華 曾武賢 梁艷 第1作者單位： 貴州大學(xué) 電子科學(xué)與信息技術(shù)學(xué)院 論文摘要： 采用射頻磁控濺射技術(shù)在Si（100）襯底上沉積了Si-Ca-Si薄膜，并在高真空條件下對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同濺射功率對(duì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面（斷面）形貌的影響，并對(duì)其光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了測(cè)試分析。結(jié)果表明：Ca2Si薄膜為立方結(jié)構(gòu)且具有沿(111)向擇優(yōu)生長(zhǎng)的特性，當(dāng)濺射功率為120W時(shí)，Ca2Si薄膜變的均勻、致密，在 4000Å -8000 Å波長(zhǎng)范圍內(nèi)，濺射功率對(duì)折射率n和吸收系數(shù)k的影響較小。 關(guān)鍵詞： 射頻磁控濺射，Ca2Si薄膜，濺射功率 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月12日 同行評(píng)議：

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